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國電南瑞:擬與國家電網(wǎng)下屬科研單位共同投設(shè)南瑞聯(lián)研功率半導(dǎo)體公司

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2019-10-18  來源:中國證券報(bào)·中證網(wǎng)  瀏覽次數(shù):6445
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核心提示:國電南瑞:擬與國家電網(wǎng)下屬科研單位共同投設(shè)南瑞聯(lián)研功率半導(dǎo)體公司
 中證網(wǎng)訊(記者 劉楊)國電南瑞(600406)10月17日盤后公告,公司擬與國家電網(wǎng)有限公司(簡稱“國網(wǎng)公司”)下屬科研單位全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司(簡稱“聯(lián)研院”)共同投資設(shè)立南瑞聯(lián)研功率半導(dǎo)體有限責(zé)任公司(以工商部門核準(zhǔn)名稱為準(zhǔn),以下簡稱“合資公司”)。其中,國電南瑞以“IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”的部分募集資金55864.45萬元出資,占合資公司69.83%的股權(quán);聯(lián)研院以技術(shù)作價(jià)出資24135.55萬元(該出資技術(shù)的評(píng)估值已經(jīng)國有資產(chǎn)管理單位備案),占合資公司30.17%的股權(quán)。

IGBT是國家產(chǎn)業(yè)政策重點(diǎn)支持發(fā)展的功率半導(dǎo)體器件,技術(shù)難度大、研發(fā)及產(chǎn)線建設(shè)周期長、資金投入大,核心技術(shù)一直被國外企業(yè)壟斷,目前國內(nèi)高端人才缺乏,國內(nèi)僅有少量廠商開展高壓IGBT研制業(yè)務(wù)。聯(lián)研院是國網(wǎng)公司直屬科研單位,國內(nèi)首家專業(yè)從事全球能源互聯(lián)網(wǎng)關(guān)鍵技術(shù)和設(shè)備開發(fā)的高端科研機(jī)構(gòu).

公司表示,通過與聯(lián)研院合作,有利于公司降低IGBT等功率器件技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)品批量化生產(chǎn)的風(fēng)險(xiǎn),保障中低壓、加快高壓IGBT等功率半導(dǎo)體芯片及模塊研制和產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。為加快公司產(chǎn)業(yè)鏈延伸和產(chǎn)業(yè)升級(jí),增強(qiáng)企業(yè)核心競(jìng)爭力,提高公司募集資金使用效率和效果,降低公司募投項(xiàng)目投資風(fēng)險(xiǎn),公司擬以“IGBT模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”部分募集資金出資與聯(lián)研院共同設(shè)立合資公司,并增加合資公司為該項(xiàng)目的實(shí)施主體。

公司表示,公司本次擬增加“IGBT模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”的實(shí)施主體,以計(jì)劃用于該項(xiàng)目設(shè)備投資的部分募集資金出資,與聯(lián)研院以技術(shù)作價(jià)出資共同投資設(shè)立合資公司,即由該合資公司實(shí)施IGBT模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目的部分投資。涉及變更實(shí)施主體的計(jì)劃投資額為55864.45萬元,占“IGBT模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”投資額的33.98%,占公司募集資金總籌資額的9.15%,相關(guān)募集資金用途、建設(shè)內(nèi)容、地點(diǎn)等不變。
 
 
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